Электроника- Вариант 1
| Цена, руб. | 500 |
| Номер работы | 3030 |
| Предмет | Электроника и радиотехника |
| Тип работы | Контрольная |
| Объем, стр. | 10 |
| Оглавление | Вариант 1. Задача 1. Найдите контактную разность потенциалов при Т = 350 К. Удельное сопротивление р-области германиевого p-n перехода =2 Ом см, а удельное сопротивление n-области = 1 Ом см. Концентрация носителей заряда в полупроводнике и подвижность электронов и дырок принять равными см-3, 0,12 и 0,05 м2/В С соответственно. Задача 2. Вычислите и сравните прямые напряжения на переходах при Т = 300 К, если германиевый p-n переход имеет обратный ток насыщения I0 = 5 мкА, а кремниевый – I0 = 10-9 А. Причем через каждый диод протекает ток 50 мА. Задача 3. Емкость кремниевого варикапа при температуре t = 20oC и обратном напряжении U1 = 5 B равна C1 = 25 нФ. Найдите его емкость при обратном напряжении U2 = 10 B. Собственная концентрация носителей заряда в кремнии ni = 1,5 1016 м-3, концентрация акцепторной примеси Na = 1020 м-3, концентрация донорной примеси Nд = 2 1020 м-3. Задача 4. Найдите дифференциальное сопротивление положительно смещенного полупроводникового диода при температуре t = 30oC и токе, протекающем через диод, равном I = 0,1 мА. Задача 5. По волт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ803А для схемы с общим эмиттером определите систему h-параметров в рабочей точке, заданной током базы 0,2 А и напряжением коллектора 10 В. Задача 6. Биполярный транзистор КТ803А работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим эмиттером. Напряжение источника питания Eпит = 20 В. Ток базы Iб = 50 мА, сопротивление нагрузки Rн = 10 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики определите ток коллектора и напряжение между коллектором и эмиттером транзистора. Задача 7. Транзистор p-n-p включем по схеме, изображенной на рисунке. Найдите коллекторный ток, если коээфициент передачи тока эмиттера транзистора α = 0,9 и обратный ток коллекторного перехода Iкб0 = 6 мкА. Задача 8. Предельная частота тока эмиттера в схеме с общей базой fh21б = 5 МГц, а коэффициент передачи тока эмиттера на низких частотах h21бо = -0,95. Определите модуль коэффициента передачи тока эмиттера на частоте 10 МГц. Задача 9. Найти систему Y-параметров транзистора, если известна система его h-параметров: h11 = 10 кОм, h12 = 0,001, h21 = 10, h22 = 10-4 Ом-1. Задача 10. Привести схематическое обозначение транзистора ГТ108Б, расшифровать его. Определить режим работы, если к электродам приложены напряжения: коллектор 8 В, эмиттер 6 В, база 4 В. Ответ поясните. Задача 11. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП302В для схемы с общим истоком определите крутизну стокзатворной характеристики, внутреннее сопротивление и коэффициент усиления по напряжению в рабочей точке, заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток -4 В и 10 В. Задача 12. Полевой транзистор КП302В работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим истоком. Напряжение источника питания Eпит = 15 В, напряжение затвор-исток Uзи = -1 В, сопротивление нагрузки Rн = 300 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики найдите ток стока и напряжение сток-исток. Задача 13. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП302В для схемы с общим истоком определите систему y-параметров в рабочей точке, заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток: -4 В, 10 В. Ток затвора считать равным нулю. Задача 14. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом ток стока Icmax= 1 мА при напряжени отсечки Uотс = 12 В. Найдите какой ток протекает в транзисторе при обратном напряжении смещения затвор-исток равном Uзи = 4 В и чему равна крутизна в этой случае. Задача 15. Объясните почему с увеличенеием концентрации акцепторной примеси в p-области электронно-дырочного перехода возрастает контактная разность потенциалов. Задача 16. Объясните почему с увеличением напряжения коллектор-эмиттер в биполярном транзисторе возрастает коэффициент передачи тока эмиттера. Задача 17. Объясните, почему с уменьшением напряжения затвор-исток в полевом транзисторе с p-n затвором и каналом n-типа наблюдается увеличение сопротивления канала. Задача 18. Объясните почему с увеличением ширины канала в МДП транзисторе возрастает ток стока. |
| Цена, руб. | 500 |
Заказать работу «Электроника- Вариант 1»
Отзывы
-
25.04
Спасибо за помощь! Только статистику пришлось немного переделать. Вместе с научным руководителем, о
Марина -
17.04
Рецензия на отлично, спасибо!!!
Марина - 15.04 Михаил